Copyright 2012-2021 今日看点 All rights reserved. 苏ICP备13052634号-10
声明: 本站部分内容来源网络,如果你是该内容的作者,并且不希望本站发布你的内容,请与我们联系
我们将在24小时内删除
友情链接: 网站地图
快科技5月7日消息,据外媒报道,三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around(GAA)工艺的片上系统(SoC),预计该芯片预计将用于Galaxy S25系列。
据悉,这款高性能移动芯片包括CPU、GPU和Synopsis的多个IP块。
据报道,三星使用Synopsys.ai EDA软件来提高芯片性能和产量。
此外,工程师还使用Synopsys Fusion Compiler(电子设计自动化工具)来实现更高的性能、更低的功耗并优化芯片面积。
三星和Synopsis声称,后者的设计自动化工具有助于将芯片的频率提高300MHz,同时将功耗降低10%。
这些工具包括设计分区优化、多源时钟树综合(MSCTS)、智能线优化和更简单的分层方法。
三星以前生产的芯片在持续使用情况下,常常会出现耗电量大和性能下降的问题,如今三星推出的GAA技术,有望解决这类问题。
标签组:
本文来源:https://www.kandian5.com/articles/107115.html